暫時接著積層體及應用彼之晶圓薄化製備方法
專利資料 | |||
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*專利公告號 | I783530 | 公告日 | 西元 2022 年 11 月 11 日 |
*發明/創作名稱 | 暫時接著積層體及應用彼之晶圓薄化製備方法 | ||
英文專利名稱 | TEMPORARILY BONDING LAMINATED BODY AND APPLICATION OF WAFER THINNING PREPARATION METHOD | ||
申請號 | 110122269 | 申請日 | 西元 2021 年 6 月 18 日 |
證書號 | I783530 | 專利權到期日 | 西元 2041 年 6 月 17 日 |
專利類型 | 發明 | 公報卷/期 | 第 輯 / 第49 卷 / 第32 期 |
國際分類號 | H01L 21/302(2006.01); C09J 5/08(2006.01); C09J 7/30(2018.01) | 產業別 | 半導體類 |
專利特點概述 |
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本發明涉及一種暫時接著積層體及應用彼之晶圓薄化製備方法,該暫時接著積層體係於一薄膜層兩側表面分設有一熱塑膨脹層,其應用於一晶圓之薄化,其製備方法包含有提供一載體;將至少一暫時接著積層體結合於該載體上;執行一晶圓結合於暫時接著積層體上;執行一晶圓壓合;執行至少一薄化技術於該晶圓上;以及提供一熱源移除該暫時接著積層體而將該晶圓自該載體上分離,藉此,使得該晶圓於進行薄化時具有良好的支撐與緩衝,可確保該晶圓在薄化或製程中不致破裂,同時應用暫時接著積層體中熱塑膨脹層受熱膨脹的特性,使得該熱塑膨脹層不和晶圓與載體黏在一起,可減少載體及晶圓後續殘膠之處理。 |
發明圖式/照片 | ||
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聯絡人資料 | |||
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*發明人姓名 | 李志雄 | ||
*專利權人姓名 | 李志雄 | ||
*專利權人住址 | 桃園市桃園區經國路304號7樓 |
合作開發方式 |
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