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柒、附錄-IC產業之IPC分類號對照表
類別 IPC分類號 IPC定義
IC製造 H01L 33 至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射，如紅外線發射之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備；此等光導體裝置之零部件（H01L 51/50優先；由一個公共基板中或其上形成的多個組件組成的元件見27/00；光導與光電子元件之耦合見G02B6/42；半導體雷射器見H01S 5/00；場效發光光源本身見H05B33/00）
H01L 31 對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感者，且適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射進行電能控制之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有的方法或裝置；此等半導體裝置之零部件（51/42優先；由在一共同基片內或其上形成的多個固態元件構成者，而非為由帶有一個或多個電光源輻射敏感元件組合而成之裝置見27/00；覆蓋屋頂面之能量收集裝置見E04D 13/18；利用太陽能產生熱者見F24J 2/00；用半導體偵測器測量X輻射、伽馬輻射、微粒輻射或宇宙輻射者見G01T 1/2
H01L 29 適用於整流、放大、振盪、或切換，或電容器，或電阻器的半導體裝置，其至少有一個電位能障或表面能障，例如PN接合空乏層或載子集聚層；半導體或其電極之零部件（31/00至47/00，51/05優先；適用於製造或處理此等元件或其部件之方法或裝置21/00；非半導體或其電極之零部件23/00；由在一共同基片內或其上形成的複數固態元件構成之裝置見27/00；一般電阻器見H01C；一般電容器見H01G）
H01L 27 自於一共用基片內或其上形成的多個半導體或其他固體元件組成之裝置（適用於該裝置或其部件之製造或處理的方法或設備見21/70，31/00至51/00；其零部件見23/00，29/00至51/00；由多個單個固體裝置組成之組裝件見25/00；一般電元件之組裝件見H05K）
H01L 23 半導體或其他固體裝置之零部件（25/00優先）
H01L 21 適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）
IC設計 H04N 7 電視系統（部件見3/00,5/00；專用於彩色電視之系統見11/00；立體電視系統見13/00）
H04N 5 電視系統之零部件（掃描部件或其與供電電壓產生之結合見3/00；專用於彩色電視之詳述見9/00）
H04B 7 無線電傳輸系統，即使用輻射場者（10/00，15/00優先）
H04B 1 不包括於3/00至13/00各單個目內的傳輸系統之部件；不以所使用的傳輸媒介為特徵區分之傳輸系統之部件（調整諧振電路見H03J
H03K 19 邏輯電路，即至少有兩個輸入作用於一個輸出者（用於應用模糊邏輯的計算機系統的電路見G06N 7/02）；倒向電路
G11C 29 記憶體正確運行之檢測；在待機或離線操作時的記憶體的測試
G11C 16 可消除內儲資訊的程式控制唯讀記憶體 （14/00優先）
G11C 11 以使用特殊的電或磁記憶元件為特徵而區分之數位儲存記憶元件（14/00至21/00優先）
G11C 7 提供寫入或讀取資訊之數位儲存體構件（5/00優先；採用電晶體構件的儲存器輔助電路見11/4063，11/413，11/4193）
G09G 3 僅考慮非與陰極射線管相連之控制裝置或電路（一般光學掃描見G02B26/10）
G06F 17 專門適用於特定功能的數位計算設備或數據加工設備或數據處理方法
G06F 13 資訊或其他信號於記憶體、輸入／輸出設備或者中央處理機之間的互連或傳送（專用於輸入／輸出設備之介面電路見3/00；多處理機系統見15/16；一般數位資訊之傳輸見H04L；選擇者見H04Q）
G06F 12 記憶體系統的存取，定址或記憶體位元址配置（資訊記憶本身見G11）
G06F 11 錯誤檢測；錯誤校正；監控（於記錄載體上作出核對其正確性之方法或裝置見G06K 5/00；基於記錄載體與傳感器之間的相對運動而實現的資訊貯存中所用的方法或裝置見G11B，如G11B 20/18；靜態貯存中所用的方法或裝置見G11C；用於錯誤監測或錯誤校正之編碼、解碼或代碼轉換，一般見H03M 13/00）
G06F 9 具內控程式控制裝置，如指令控制單元（用於週邊設備之程式控制，見13/10）
G06F 1 不包括於3/00至13/00及21/00各目的之零部件（一般儲存功能的可程式計算機之結構見15/76）
G05F 1 由系統之輸出端檢測的一個電量對一個或多個預定值之偏差量並反饋至系統中之一個設備內以便使該檢測量恢復至其一個或多個預定值之自動控制系統，即有回授作用之系統
IC封裝測試 H01L 33 至少有一個電位能障或表面能障之適用於光發射，如紅外線發射之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有之方法或設備；此等光導體裝置之零部件（H01L 51/50優先；由一個公共基板中或其上形成的多個組件組成的元件見27/00；光導與光電子元件之耦合見G02B6/42；半導體雷射器見H01S 5/00；場效發光光源本身見H05B33/00）
H01L 25 由多數單個半導體或其他固體裝置組成之組裝件（於一共同基片內或其上形成由多個固體元件組成的裝置見27/00；光電池組裝件見31/042；應用太陽電池或太陽電池板之發生器見H02N6/00；列入其他次類，如電視接收機之零部件，見有關次類之完整電路組裝件之零部件，如H04N；一般電阻件之組裝件之零部件見H05K）
H01L 23 半導體或其他固體裝置之零部件（25/00優先）
H01L 21 適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）
G01R 31 電性能之測試裝置；電故障之探測裝置；以所進行的測試未在其他位置提供為特徵之電測試裝置（測量引線，測量探針見1/06；指示開關機構或保護裝置之電氣狀況見H01H 71/04，73/12，H02B 11/10，H02H 3/04；在製造過程中測試或測量半導體或固體器件見H01L 21/66；線路傳輸系統之測試見H04B 3/46）
G01R 1 包含在5/00至13/00和31/00目中的各類儀器或裝置之零部件（測量電消耗量之裝置所特有的結構零部件見11/02）
IC材料製作及設備 H01L 31 對紅外輻射，光，較短波長之電磁輻射，或微粒輻射敏感者，且適用於將此種輻射能轉換為電能者，或適用於通過此種輻射進行電能控制之半導體裝置；製造或處理此等半導體裝置或其部件所特有的方法或裝置；此等半導體裝置之零部件（51/42優先；由在一共同基片內或其上形成的多個固態元件構成者，而非為由帶有一個或多個電光源輻射敏感元件組合而成之裝置見27/00；覆蓋屋頂面之能量收集裝置見E04D 13/18；利用太陽能產生熱者見F24J 2/00；用半導體偵測器測量X輻射、伽馬輻射、微粒輻射或宇宙輻射者見G01T 1/2
H01L 29 適用於整流、放大、振盪、或切換，或電容器，或電阻器的半導體裝置，其至少有一個電位能障或表面能障，例如PN接合空乏層或載子集聚層；半導體或其電極之零部件（31/00至47/00，51/05優先；適用於製造或處理此等元件或其部件之方法或裝置21/00；非半導體或其電極之零部件23/00；由在一共同基片內或其上形成的複數固態元件構成之裝置見27/00；一般電阻器見H01C；一般電容器見H01G）
H01L 21 適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）
G03F 7 適用於製造或處理半導體或固體裝置或部件之方法或設備（儘限用於製造或處理列入31/00至51/00各目之裝置及其部件之方法或設備見上述各組，列入其他次類之單工序工藝方法各見有關次類，如C23C、C30B；花紋面或表面圖形之照相製版，其材料或原版及專用設備，一般見G03F）
C23C 16 經由氣態化合物分解且表面反應產物不留存於鍍層內之化學鍍覆，例如化學氣相沈積工藝(CVD)（反應濺射或真空蒸發見14/00）
C01B 33 矽；其化合物（21/00，23/00優先；過矽酸鹽見15/14；碳化物見31/36）
 

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