專利資料
＊專利公告號	I689996	＊公告日	西元 2020 年 4 月 1 日
＊發明/創作名稱	半導體裝置之中介層製造方法
＊英文專利名稱
＊申請號	105113194	＊申請日	西元 2016 年 4 月 28 日
＊證書號	I689996	＊專利權到期日	西元 2036 年 3 月 31 日
＊專利類型	發明	＊公報卷/期	第 輯 / 第47 卷 / 第10 期
＊國際分類號	H01L 21/50(2006.01); H01L 21/58(2006.01); H01L 21/768(2006.01)	＊產業別	半導體類

專利特點概述
本發明係指一種半導體裝置之中介層製造方法，尤指一種無晶圓基板之中介層製造方法，包括一提供載板、一形成緩衝層於載板上表面、一形成導電通道於緩衝層上、一形成絕緣隔離層於緩衝層上、一形成線路重佈層、一形成電極通道於線路重佈層表面、以及一使載板脫離之步驟，藉此，使能被解離的載板上預先形成導電通路後，並利用沉積或塗佈之技術形成包覆導電通路之絕緣隔離層，使本發明之中介層不具有晶圓、玻璃或有機層等基板，而能使導電通道更精準、更微細化，大幅提高其接腳的數量與密度，且無需透過化學機械研磨來薄化中介層，因此可完全省下研磨程序的工時，而提高中介層的生產速度，並使中介層不致因鑽孔、研磨加工造成結構的破壞、裂痕，可有效的提高良率，並降低製造成本。

發明圖式/照片

聯絡人資料
＊發明人姓名	李志雄
＊專利權人姓名	李志雄
＊專利權人電話	0930938010
＊專利權人住址	桃園市桃園區經國路304號7樓
＊專利權人E-mail	[email protected]

合作開發方式