超低阻値電阻及其製造方法
專利資料
專利公告號 I512766 公告日 西元 2015 12 11
發明/創作名稱 超低阻値電阻及其製造方法
英文專利名稱 ULTRA LOW OHM RESISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
申請號 102128513 申請日 西元 2013 8 8
證書號 I512766 專利權到期日 西元 2033 8 7
專利類型 發明 公報卷/期 輯 / 第42 卷 / 第35
國際分類號 H01C-017/242(2006.01) 產業別 生活用品、土木、醫工類
專利特點概述
一種超低阻值電阻及其製造方法,用以改善已知超低阻值電阻之生產良率過低的問題,該超低阻值電阻之製造方法係包含:利用一沖模模具對一板材進行沖膜,使該板材上成型產生數個基板,該基板具有一封裝區域,且該封裝區域之二端分別形成二端部;分別於各該基板之封裝區域外周包覆一封裝體;透過一顯微攝影裝置拍攝取得該板材之影像,再以一運算單元載入該板材之影像並執行影像分析運算,定位各該封裝體之位置;該運算單元將各該封裝體與一樣本影像進行比對,並判定各該封裝體超出該樣本影像的部分為需要去除的冗餘區塊;依據各該封裝體之冗餘區塊設定一雷射切割機台之雷射軌跡,由該雷射切割機台切削去除各該封裝體之冗餘區塊,以在該封裝體上產生至少一雷射切削表面;及將各該基板自該板材上沖膜分離,並且分別於各該基板之二端部結合一導電層以作為端電極。
發明圖式/照片
圖例1-超低阻値電阻及其製造方法
聯絡人資料
發明人姓名 蔡宜興
發明人E-mail [email protected]
專利權人姓名 蔡宜興
專利權人住址 高雄市苓雅區建民路140號6樓之3
專利權人E-mail [email protected]
合作開發方式
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