智慧財產權月刊 242期

98 108.2 智慧財產權月刊 VOL.242 論述 Micro LED 顯示器關鍵技術――巨量轉移技術之專利趨勢分析 壹、 Micro LED 顯示器與其關鍵技術 科技始終來自於人性，人們對於美好事物有著無窮盡的渴求，從過去三十年 迄今顯示器發生的改變與進化可以得到驗證，隨著時代的進步，顯示器變得更輕 薄、更省電，顯示器主流技術已從陰極射線管（ Cathode Ray Tube ， CRT ）顯示器、 LCD ，逐漸變成當紅的 OLED 顯示器，而近來討論度頗高的 Micro LED 顯示器具 有優越特性與可行性，在國際領導廠商的引領與國內產業界的積極參與之下，有 望成為下一世代的顯示器的主流技術。 一、 Micro LED 顯示器 要了解 Micro LED 顯示器，可由 Micro LED 單體的定義來切入， Micro LED 技術將一般毫米（ 10 -3 m ）等級之傳統 LED 尺寸微縮至 100 微米（ 10 -6 m ）以下， 是原本 LED 體積的 1% ，透過巨量轉移技術，即，將成長於磊晶基板（或稱為原 生基板或同質基板 ) 之微米等級 RGB 三色 Micro LED 搬運至顯示基板（或稱為 目的基板）上，矩陣排列 RGB 像素經由定址控制其暗亮程度而達成全彩化，以 形成 Micro LED 顯示器。 Micro LED 相較於 LCD 與 OLED 具有優越的特性，可以先從結構來說明， LCD 由於本身非自發光，需要背光模組作為光源，且液晶分子需要偏光片與彩色 濾光片的搭配，以作為光偏振控制明亮程度與彩色化之手段，故具有較複雜且厚 重之構造； OLED 具有像素自發光特性，可以省去 TFT LCD 的背光模組，然而其 有機發光材料對於濕氣敏感，故需要上下基板形成彌封結構以增強其對環境之耐 候性； Micro LED 以無機 LED 作為像素，並無 OLED 的封裝問題，相較之下， Micro LED 的組成最簡單，可以做出最輕薄的結構；而傳統 LED 在 TFT LCD 顯 示器中作為背光源的角色，當演進至 Micro LED 顯示器， Micro LED 則直接作為 發光像素。 再由特性方面來說明，參考表 1 ，其中單一項目中較優者以打勾註記， Micro LED 具有自發光、低功耗、響應時間快、高亮度、超高對比、廣色域、廣視角、 超輕薄、使用壽命長與適應各種工作溫度的諸多優異特性， Micro LED 的技術規 格相較於 LCD 與 OLED 具有壓倒性的優勢。