具有台面式界面終止延伸結構之半導體裝置及其製造方法
專利資料 | |||
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*專利公告號 | I527215 | 公告日 | 西元 2014 年 6 月 1 日 |
*發明/創作名稱 | 具有台面式界面終止延伸結構之半導體裝置及其製造方法 | ||
英文專利名稱 | SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTION TERMINATION EXTENSION STRUCTURE ON MESA AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | ||
申請號 | 101144183 | 申請日 | 西元 2012 年 11 月 26 日 |
證書號 | I527215 | 專利權到期日 | 西元 2032 年 11 月 25 日 |
專利類型 | 發明 | 公報卷/期 | 第 輯 / 第43 卷 / 第9 期 |
國際分類號 | H01L-029/772(2006.01);H01L-021/336(2006.01);H01L-021/265(2006.01) | 產業別 | 半導體類 |
專利特點概述 |
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解決power元件需要足夠的外epi厚度( epi thickness), 卻因增加epi厚度( epi thickness), 造成順向電壓Vf增加的困擾.例如此專利中的蕭特基二極管 (schottky diode)最顯利益. 因為此設計的 low Vf schottky diode (Silicon base)有以下優點 (a) it can be used for very high Vb design , for example, Vb=100V,200V,300V (b) high ESD stress (c)low Vf can be achieved by reducing drift region thickness with low reverse current leakage (low Ir), thus can has higher operation Tj (d)without infringing those others’ IPs, such as (1)trench schottky of Vishay (2)SBR(super barrier rectifier) of DIODES (3)MPS of some manufacturers. 此結構亦可用於其它power/protect devices, 例如Zener/TVS,FRED,Power mosfet/IGBT,.... 等等 |
發明圖式/照片 | ||
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聯絡人資料 | |||
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*發明人姓名 | 江啟文 JIANG, CHII WEN | ||
發明人電話 | 0939323597 | ||
發明人住址 | 新竹市長春街148巷9號 TW | ||
發明人E-mail | [email protected] | ||
*專利權人姓名 | 江啟文 JIANG, CHII WEN | ||
專利權人電話 | 0939323597 | ||
*專利權人住址 | 新竹市長春街148巷9號 TW | ||
專利權人E-mail | [email protected] |
合作開發方式 |
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進一步接洽 | |
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